Электростатика. Способность к электриза-ции. - способность тел притягивать к себе предме-ты. Эти тела оказ. заряженными. Q=ne Q - заряд тела n=1,2,... Заряды приобретаемые при электризации всегда кратны е и заряды явл. дискретными. Сущ. три способа электриза-ции тел. 1) Электризация через трение - трибоэлектризаия. 2) Электризация наведением (явление электростатиче-ской индукции). 3)Электризация с помощью электритирования. Электрическ. заряды сохр. на заряженных телах различное время в зависемо-сти от способа электризации в1) и 2) - короткое время , 3) - годы и десятки лет. В замкгутой системе электриз тел (нет обмена зарядами с внешними телами) алгебраическая сумма эл. зарядов остается постояной при любых процессах происходящих в этой системе. SQi=const i Точечный заряд это физич. абстракция. Точечным зарядом принято называть заряж. тело розмера которого малы по сравнению с расст. до точки исследования. Одноименные заряды отталкиваются, разноимен-ные притягиваются. Зак. Куллона. Сила взаимодействия междуточечными неподвиж зарядами q1 и q2 прямопропорциа-нальны величине этих зарядов и обратнопропорц. расст. между ними. F=kґ((q1q2)/r2 k=1/4pe0 e0=8,85ґ10-12 Ф/M e0 - фундоментальная газовая постоянная назв газовой постоянной. k=9109 M/Ф Зак. Куллона (в другом виде) F=(1/4pe0)ґзq1q2з/r2 вакуум e=1 F=(1/4pe0)ґзq1q2з/er2 для среды e№1 Если точечн. заряд помес-титьв однородн. безгра-нич.среду куллоновская сила уменьшится в e раз по сравнению с вакуумом. e - диэлектр. проницаемость среды. У любой среды кроме вакуума e>1. Зак. Куллона в векторной форме. Для этого воспользуемся единичным ортом по направ-лению вдоль расстояния между двумя зарядами. _ _ _ _ er=r/r r =erґr _ _ F=(1/4pe0)ґ(зq1q2зґr)/r3 векторная форма В Си - сист единица заряда 1Кл=1Аґс 1Куллон - это заряд, проте-каемый за 1 с через все поперечное сечение провод-ника, по которому течет то А с силой 1А. Зак.Куллона может быть применен для тел значи-тельных размеров если их разбить на точечные заряды. Кулл. силы - центральные, т.е. они направлены по линии соед. центр зарядов. Зак. Куллона справедлив для очень больших расстояний до десятков километров. При уменьш. расст. до 10-15 м справедлив, при меньших несправедлив. Электростатич. поле. Хар. электростатич.поля. _ _ (Е, D, j) В пространстве вокруг эл. зарядов возникает электро-статическое поле (заряды не подвиж.). Принято считать, что электростатическое поле является объективной реальностью. Обнаружить поле можно с помощью пробных электрических зарядов. Пробн., полож., точечный заряд должен быть таким, чтобы он не искажал картины иследуемого поля. Напр. электростатич. поля. _ Е - напряженность электро-статического поля. Напря-женность электростатиче-ского поля является силовой характеристикой. _ Напр. поля в данной Е=F/q0 точке пространст-ва явл. физ. вел. численно равная силе (куллоновск.) действ. в данной точке на единичный неподвижный пробный заряд. [E]=H/Кл [E]=В/м Силовая линия - линия, в каждой точке которой напр. поля Е направлена по касательной. Силовые линии строят с опред. густотой соответствующей модулю напр. поля: через площадку 1 м2 проводят количество линий Е равное модулю Е. При графическом представ-лении видно, что в местах с более густым располож. Е напр. больше. Вывод формул для напр. поля точечн. заряда. q - заряд создающий поле. q0 - пробн. заряд. Е=(1/4pe0)ґ(qґq0)/(r2ґq0) E=(1/4pe0)ґq/r2 Из E=(1/4pe0)ґq/r2 следует что Е зависет прямопропор-цианально величине заряда и обратнопропорц. расст. от заряда до т. исследов. В однородн. безгр. среде с e№1 (e>1) напр. поля уменьш. в e раз. E=(1/4pe0)ґq/er2 _ E=(1/4pe0)ґq2/r3 Электрическое смеще-ние. _ Опред. формулой для D явл. следущее в данной т. среды электрическое смещение численно равно произвед. диэлектр. проницаемости, эл. постоянн. и напр. поля. _ D­ ­E D=ee0E [D]=Кл/м2 Напр. эл. поля завсет от e среды поэтому при наличии несколбких граничащих диэлектриков на границе разрыва двух сред напр. поля меняется скачком (линии _ вектора Е терпят разрыв). _ Вектор D не завис. от e среды т.е. явл. однаков. по величине _ во всех средах т.е. скачка D нет , разрыва нет. _ Покажем что D независ от e. D=ee0ґ(kq)/(e0ґr2) D=(1/4p)ґq/(eґr2) Потенцеал поля. Силы электростатич. поля консервативные т.е. независ. от траэктории движения заряда. _ F=- gradП Fx= -П/x аналогич Fy и Fz 1) F= - dП/dr Для электростатич. сил F=f(r). Воспользуемся этой зависе-мостью для введения третей характеристики поля - потенцеала. Преобр. 1) 2) dП= - Fdr F - кулло-новская сила взаимодейст-вия между двумя точечн. зарядами q и q0. F=k(чqq0ч/r2) Подставим F в 2) и проинтегрируем лев. и прав. часть. 3) тdП=т -k(чqq0ч/r2)dr из 3) П= -kчqq0чтdr/r2= =kчqq0чґ(1/r)+C Разделим лев. и прав. часть 4) на q0. 5) j=П/q0=(1/4pe0 )ґ(q/r)+C 6) j=П/q0 Потенцеал поля в данной точке численно равен потенцеальной энерии пробного заряда помещенно-го в данную точку. [j]=B=Дж/К 7) j=(1/4pe0 )ґ(q/r) при j=0 r®Ґ , j ~ d при r=const , j ~1/r при q=const При q>0 j>0 + При q<0 j<0 - Потенцеал поля принято изображать на рис. эквипо-тенцеальными линиями или поверх. Эквипотенцеал - геом. место точек равного потенцеала поля. Принято эквипотенцеал проводить при Dj =const Dj=j2 - j1 - разность между двумя ближайшеми эквипо-тенцеалами. Вывод: _ _ _ _ D=e0E D­­E E=(1/4pe0 )ґ(q/r2) D=q/4pr2 Картина линий Е эквипотенц. поля точечн. заряда. (для ваку- ума) _ _ Е или D Dj=const _ _ ѕ линии D или Е --- экви. _ _ Нарисуем линии E и D при наличии диэлектрика. Диэлектрк окружен вакуу-мом. В диэл. e>1 Eд>l , r>>l/2)=(kq2rl)/r4=k(qp/r3) E=k(2p/r3) E~1/r3 Поле в т. С на перпендик. оси диполя. k, q, l, r>>l, p=ql, e=1 , r=OC E - ? _ чEч=2Пр.Е+ Е+=Е_ в силу симметрии зар. Е+=Е_=k(q/(rў)2) E+/E_=cosa=l /2rў Пр.Е+=Пр.Е_=Е(l /2) E=2Пр.Е+=2Пр.Е Пр.Е+=Е+сosa=(kq/(rў)2)ґ ґl/2rў _ Пр.Е+/E+=cos aE+ rў~r при r>>l E=2(kq/(rў)2)ґl=kql /(rў)3= =kp/r3 (неправильно) E=k(p/r3) _ _ Потоки D и Е. Пусть электростатическое поле будет однородно т.е. такое _ поле у котор. D=const и все линии поля пп по направле-нию , введ. в это поле плоск. поверхность площадью S, строем нормаль. _ Пр.D=Dncosa _ поток D FD=DcosaґS 1) FD=Dncosa _ _ Потоком D или E назв. физ. вел. числ. = кол - ву. линий _ _ D или Е пронизывающих исследуемую поверхность при _ _ условии D или Е ^ поверхности. FЕ=ЕnS 2) [FD]=Кл [FЕ]=Вґм Поток характеристика скалярная, алгебраическая. При a<900 cosa (+) FD>0 При a<900 cosa (-) FD<0 Запишем общую формулу в случ. когда S имеет произв. форму. В током случае на поверх S наход. участок площадью dS котор. можно считать плоским, тогда dFD=DnґdS FD=тDndS S Площадке dS припис. векторные свойства. _ _ dS=dSґn _ _ FD=т DndS S Теор. Гаусса (интегральная форма). В ряде случаев принцип суперпоз. для вычисления напр. поля применять трудно, в таких случ. напряженность электроста-тич. поля вычисляют с помощью теор. Гаусса. Теор. Гаусса позволяет легко вычислять Е и D при симметричных расположе-ниях заряда. Поток вектора элек-трич. _ смещения D cквозь произ-вольн. замкн. поверх. S равен алгебраич. сумме зарядов заключ. внутри поверх. Замкнутая поверх - такая вкотор нет отверстий. Алгебр. сумма - сумма заряда с учетом их знаков. _ _ n ?DdS=Sqi 1) S i=1 _ _ ?EdS=(1/e0)Sqi 2)(для вакуума) S i Док - во. 1. Пусть имеется полож. точечн. заряд. q . _ _ ?DdS=?DdS S S _ _ D­­n a=0 Dn=D Вынесем за знак интегр. D?dS=D4pr2=(q/4pr2)ґ4pr2=q S _ _ 3) ?DdS=q S Очевидно если точечн. зар. расп. не в центре а в люб. т внутри поверх. S колич. линий _ D прониз. поверх. не измен. , т.е. для люб. положения точечн. заряда q внутри сферы формула 3) справед-лива. Поток сквозь поверх. другой формы (произвол.) при прежнем заряде q не изме-нится и 3) справедлива. Внутри замкн. сферы нах. несколько зарядов q1, q2 ,q3, ...,qi,...qn 1Ј i Јn Докажем что в этом случ. теор. Гаусса верна. На основ. 1) для кажд зар. теор. справед-лива. _ _ 4) ?DidS=qi S в 4) просуммируем левую и правую часть. _ _ S?DidS=Sqi i i _ _ ?(SDi)dS=Sqi s i i _ _ n ?DdS=Sqi 5) s i Форма записи 5) имеет назв. интегральной формы записи. Интегр. форм. - обознач. что в формуле характеристики слева и справа относятся к разным точкам пространст-ва. r - об. плотность. r=dq/dv (Кл/м3) 6)Sqi=тrdv i v _ _ ?DdS=тrdv S и V - v согласо- ванны. Практич. применение теор. Гаусса. Методика применения теоремы. Дано: Шар , eш № 0 , eш>0 , eш=e , ecp=1 , r=const , R - радиус шара 1) r>R (вне шара) 2) rER (скачок) вн сн вн сн Завис. Е(r) При eсрR, то внутрь поверхности попада-ет весь заряд и по теор. Гаусса 4pr2E=Q/e0 , откуда E=(1/4pe0)ґQ/r2 (r і R) Если rўR 2plЕ=t(l/e0) , от сюда Е=(1/2pe0)(t /r) (r і R). Если r0 _ (+ зар) div D>0 - исток расхождения. Если r<0 ( - зар) _ div D<0 вхождение линий. Из3) важное следствие: Источником поля явл. электрич. заряд. Теор. Остроградскрго Гаусса. Ур. 3) домножим лев. и прав. часть на dV. _ 4) div DdV=r dV проинтегрируем 4) по объему _ 5) тdiv DdV=тr dV v v _ _ тr dV=тDdS v s _ _ _ 6) тdiv DdV=?DdS - Остр. Г. v s согласован « В теор. Остр. Гаусса содерж. связь между дивергенцией и потоком одного и того же вектора. Работа сил. электростатич. поля. Потенциал поля. Силы электростатич. поля перемещая электрич. зар. соверш. работу. Вычислим работу сил электростатич. поля для перемещения зар. по произ-вольной траектории. q - созд. поле. +q0 -перемещ. в поле заряда q. Рассмотрим перемещение заряда на элементар. кчастке dl. 0) dA=Fldl =Fcos adl =Fdr r - тек. расст. между q иq0. Найдем полную работу. 2 2 А=тdA=тFdr 1 1 Поскольку F­­dr cosaў=1 _ _ Fdr=Fdr r 2_ _ 1) A=тFdr r 1 Воспользуемся для получ. втор. формулы связью между _ _ _ _ _ _ Е и F. E=F/q0 E=q0E _ _ 2) dA=q0Eldl =q0Edl = =q0Ecos adl интегрируем 2) лев. и прав. часть 2 _ _ 3) A=q0тEdl 1 Получим еще одну форму-лу. Воспольз. 1) в котор. подставим ур. Fкл. r2 A=тk(q0ґq/r2)dr r1 A=q0((kq/r1) - (kq/r2)) Из 4) 5) A=q0(j1 - j2) Работа при перемещении зар. q0 электростатич. силами равно произв. вел. этого заряда на разность потенциала в начальной и конечной точке. Из 4) след. что работа сил поля независ. от формы траектор. Силы электроста-тич. явл. консервативными , поле электростатическое явл. потенциальным полем. Используя 5) дадим второе опред. потенциала. Для этого рассм. перемещение полож. заряда q0 из данной т. в котор. j1 = j в бесконечность j2=jҐ=0. Из 5) АҐ=q0j 6) j = АҐ/q0 Потенциал. поле в данн. т. числ. =работе соверш. сила электростатич. поле при перемещении единичного полож. заряда из данной т. в бесконечность. Потенц. скаляр. характеристика. Дж/Км=В Теор. о циркуляции вектора напр.электростатич. поля. Потенциальный характер поля. Рассм. перемещ. зар. q0 в поле заряда q вдоль произ-вольной замкнутой траек-тор. А = 0. Возмем для работы форм. 3) _ _ q0?Eldl=q0?Edl =0 L L q0 № 0 _ 1) ?Eldl=0 - циркуляция Е L _ Циркул. Е в доль произ-вольн. формы замкн. конту-ра=0. Теор. о циркул. свидетель-ствует о том что электро-статич. поле - потенциаль-ное. Если циркул. не =0 то поле не потенциально. Физ. смысл. циркул. числен-но равен работе по перемещ. единичн. полож. зар. по замкн. траектории. Лекция. Вычисление разности потенциала по напряж. поля. 2 1)A=q0тEldl 1 2)A=q0(j1 - j2) 2 j1 - j2=тEldl Связь между 1 разностью потенциала и напряженно-стью поля. Вычислим разность потен-циала для бесконеч. , равномер. заряженной нити с линейной плотностью t . Пример: t =dq/dl [ Кл/м] t1, t2 e=1 (j1 - j2) - ? El=Er dl=dr r2 r2 j1 - j2=тErdr=тEdr r1 r1 E=(t/2pe0r) напряженность поля в точке на расст. r от нити. 2 j1 - j2=(t/2pe0)тdr/r 1 j1 - j2=(t/2pe0)ґln(r2/r1) Пример 2: Вычисл. разности потенциа-ла для равномер. заряж. сферы (проводящий шар). Сфера R , q=1 1) rR Для точек вне сферы (r>R) из теор. Гаусса напряжен-ность Е вычисляется Е=1/2pe0=q/r2 Внутри (rR j =(1/4pe0)(q/r) Внутри напряженность поля =0 поэтому j1 - j2=0 j1=j2=jR=(1/4pe0)(q/R) j =const Нарис. графики. Связь между напряженно-стью поля и потенциалом в диффер. форме. Градиент потенциал. Для получения связи между Е и j в одной точке восполь-зуемся выраж. для элемен-тарн. работы при перемеще-нии q0 на dl по произвол. траектории. dA=q0Eldl В силу потенциального характера сил электроста-тического поля эта работа соверш. за счет убыли потенциальной энергии. dA= - q0 dj = - П Eldl = - dj 3) El= - (dj /dl ) Проэкция вектора напряж. поля на произвольном направлении (l) равна взятой с обратным знаком производной по этому направлению. 4) Ex= - (dj /dx) Ey= - (dj /dy) Ez= - (dj /dz) _ _ _ E= - ( i (/x)+j (/y)+ _ +k (/z))ґj _ E= -grad Напряженность поля в данной т. равна взятому с обр. знаком градиенту потенцеала в этой точке. Градиент сколяр. фукции явл. вектором. Градиент показывает быстроту изменения потен-цеала и направлен в стор. увелич потенцеала. Напряж. поля всегда перпендикулярна к эквпо-тенцеальным линиям. Пусть точечный заряд q0 перемещается в доль эквипотенцеала j =const , dl - на эквипотенцеали. dA=q0Eldl dA=0 т.к. Dj =0 El=Ecosa q0Ecosa dl =0 q0№0 E№0 dl№0 cosa=0 a=900 Проводники в электрич. поле. Электроемкость проводни-ков. Конденсаторы. Энергия поля. §1 Условия равновесия заряда на проводнике. Электростатич. защита. Внесем в электрич. поле напряженностью E0 тело. При внесении проводника все электроны окажутся в электростатич поля. В нутри проводника за короткое время призойдет разделение эл. зарядов (электростатич индукция) с накоплением их на концах. _ _ _ E0 - внешнее E' ­ЇE0 _ E' внутри проводника _ _ _ _ _ Е=E0+E'=0 E'=E0 E - результ. поле в нутри проводника. В результате рассмотрен-ныых процессов. Усл. равновес. заряда. 1)Напр. поля во всех точках внутри проводника Е=0 . 2)Поверхность проводника явл. эквипотенцеальной j =const. _ 3) Напр. поля Е ^ эквипот. j =const. В силу Е=0 проводники люб. формы явл. защитой от электростатич. поля. Поле у поверхн. заряж. проводника. Рассм. произаольную форму проводника заряж. по поверх. с поверхностной плотностью s . Воспольз. теор. Гаусса в интегральной форме. _ _ ?DdS=Sqi s На заряж. поверхности отсечем круг площадью S. ?e0EdS=e0EтdS s s e0EґS=sґS в т. А E=s/e0 D=e0E D=s Напр. поля прямопропорц. поверх. плотности заряда проводника в окрестностях этой точке. Разделение зар. по провод-нику завис. от его поверх. (у острых углов заряд больше , напряж. сильнее). Электроемкость проводни-ка. Единица электроемкости. Рассм. проводник произв. формы. В близи этого проводника других провод-ников нет. такой проводник назв. уединенным проводни-ком. Будем заряжать уединенный проводник. При увеличении заряда потенциал прямо пропорционально зависет от Q. Связь между зарядом Q , потенциалом j , и формой проводника дает электроем-кость С=Q/j . Емкостью уединенного проводника - назв. физ вел. числ.= величине зар. сообщаемого этому провод-нику при увеличении потенциала на 1В. В Си 1Ф - фарад. 1Ф=1Кл/1В Электроемкость зависет от размеров , формы и диэлек-трической проницаемости среды. С=4pee0R j =(1/4pee0)ґ(Q/R) Уединенные проводники при приближении к ним других проводников свою емкость существенно меняет (уменьш. за счет взаимного влияния электростотич. полей). Лекция. Конденсаторы. Типы конденсаторов. Конденсатор - устройство позволяющие получать стабильное значение емкости независящее от окружения. Создание закрытого поля не влияющего на металлич. предметы достигается за счет двух металлич. разно-имен. заряж. электродов. В зависемости от формы обкладок различают плоские , цилиндрические , сфериче-ские конденсаторы. Расчет емкости конденс. разл. типов. 1) Дано: s , Ѕ+ s Ѕ=Ѕ - s Ѕ , e , S , d C - ? C=q/j уедин. проводника Для конденс. 1) С= q/Dj =q/U Dj =U - напряжние С=sS/Ed=sS/[(s/ee0)ґd]= =ee0S/d 2) Цилиндрич. конденса-тор. R1 , R2 , l , e Ѕ+q Ѕ=Ѕ - qЅ +t , -t C - ? Воспользуемся 1) R2 С= tl/(тEdr) E= t/2pee0r R1 Напряженность поля произвольной точки распо-лож. между цилиндрами на расст. r от оси определяется только зарядами на внут-реннем цилиндре (см. теор. Гаусса). Аналогично для тонкой нити. R2 С= tl/(т(t/2pee0r)dr= R1 = [tl/(t /2pee0ґln R2/R1)] 3) C=[tl/(t /2pee0ґln R2/R1)] емкость цилиндрич. конденс. Сферич. конденсатор. Сферич. конденс. - две концентрические сферы определ. радиуса. Дано: e , R1 , R2 Ѕ+q Ѕ=Ѕ - qЅ C - ? Использ. 1) R2 С=q/= q/Dj =q/(тEdr)= R2 R1 =q/(т(q/4pee0r2)dr) R1 C=q/((q/4pee0)ґ(1/R1 - 1/R2)) C=4pee0R1R2/(R2 - R1) Для всех видов конденс. видно что емкость зависит от параметров электродов. Всегда с помещением диэлектрика между электро-дов емкость увелич. Соединение конденсато-ров. Батареи конденсаторов. Конденсаторы часто прихо-дится соединять вместе. Часто возник. необходи-мость соед. их в батареи (когда нужно иметь другую емкость). 1) Последовательное соед. - соед. при котор. отрицатель-ные электроды соед. с полож. У последовательно соед. Конденсаторов заряды всех обкладок равны по модулю , а разность потенциалов на зажимах батареи n Dj =еj i i=1 Для любого из рассматри-ваемых конденс. Dj i=Q/Ci С другой стороны , n Dj =Q/C=Qе(1/Ci) i=1 Откуда n 1/C=е1/Ci i=1 2) Параллельное соед. - соед. при котор. соедин. между собой обкладки одного знака. n С=еCi i=1 У параллел. соед. конденсо-торов разность потенциалов на обкладках конденсаторов одинакова и равна j а -j b. Если емкости конденсаторов С1 ,С2, ..., С3 то их заряды равны Q1=C1(j а -j b) Q2=C2(j а -j b) а заряд батареи конденсато-ров n Q=еQi=(C1+C2+...+Cn)ґ i=1 ґ(j а -j b) Полная емкость батареи n С=Q/(j а -j b)= еCi i=1 Энергия заряженного проводника и конденсато-ра. Рассм. уедин. проводник произв. формы. Проведем зарядку этого проводника , при этом подсчитаем работу внеш. сил. Пусть при перенесении dq из Ґ , проводник приобрел потенциал j . Элементар. работа dA=j dq. Допустим зарядили до Q . С=q/j j=q/C Вся работа совершаемая при зарядке проводника до Q равна. 1) A=Q2/2C 2) A=Cj2/2 3) A=Qj/2 В окружающем простран-стве после зарядки провод-ника возникло электростати-ческое поле, значит работа при зарядке проводника расходуется на создание поля. Значит работа перехо-дит полностью в энергию электростатич. поля. Wэл=1) или 2) или 3) Из 1) , 2) ,3) не следует ответа что энерг. Wn локализована в самом поле поскольку в формуле стоят параметры заряж. проводни-ка. Конденсатор. Рассм. зарядку конденсато-ра состоящего из двух обкладок Первый путь - dq перенос. из Ґ на одну из обкладок , тогда на второй обкладке возникнет -. Второй путь - элементарн. заряд dq перенести из одной обкладки на вторую. Независимо от способа формулы 1) , 2) , 3) справед-ливы (только j изменяется на Dj). Энергия электростатиче-ского поля. Объемная плотность энергии. Носителем энергии явл. само поле. Для подтверждения этой идеи возьмем формулу 1). Wэл=Q2/2C применим ее к плоск. конденсатору. (параметры известны). Wэл=s2S2d/2ee0S=(s2/2ee0)ґSd= =(ee0s2/2(ee0)2)ґV 1) Wэл=(ee0E2/2)ґV Из 1) следует что носите-лем энергии явл. поле с напряженностью Е. Из 1) следует что все стоящее перед объемом - это объемная плотность энерг. электростатического поля. 2) wэл=(ee0E2/2) 2') wэл=DE/2 В физике доказывается что 2) и 2') можно применять и для неоднородного поля, для котор. полная энерг. может быть вычесленна по форму-ле 3) Wэл=тwэлdV v Лекция. Диэлектрики в эл. поле. Поляризация диэлектриков. §1 Проводники и диэлек-трики. сущность явл. поляризации. У проводников электроны могут свободно переме-щаться по всей толще образца. явл. эле- ктростатич индукции Диэлектрики - вещества плохо или совсем непрово-дящие эл. ток. В диэлектрике свободные заряды отсутствуют. У диэлектрика очень большое сопротивление. Во внешнем поле у диэлек-триков происходят очень существенные изменения. Заряды находящиеся в атоме во внешнем поле Е0 смеща-ются или пытаются сме-ститься. Диэлектрик во внеш. эл. поле поляризуется. поляризуется При поляризации диэлек-трика Е№0. У диэлектрика во внеш. эл. поле на поверхности образца появл. связнные некомпен-сированные поляризованные заряды. Явл. поляризации заключ. в появлении электрич. поля Е при внесении во внеш. поле Е0 появл. связанных поверх-ностных зар. и появлении в толще образца , в каждой единице объема дипольного момента. Диполь во внеш. эл поле. Рассм. электрический диполь образованный зарядом q. _ Электрич. момент p=ql , где l- плечо диполя. Вносим диполь во внеш. поле. _ Е=const Ѕ+qЅ=Ѕ-qЅ=q Запишем силы действующие на заряд. _ _ На +q - F+ , на -q - F_ _ _ _ ЅF+Ѕ=ЅF_Ѕ=ЅFЅ=F На электрич. момент действ. пара сил , при этом возник вращающий момент М. М=Fd=Flsina=Eqlsina= =Epsina d - плечо силы _ M=[P,E] -вращ. момент (сколяр. произв.) В однородн. эл поле электри-ческий диполь поворачива-ется до тех пор пока эл. момент не станет направлен по внеш. _ _ полю P­­E т.е. эл. диполь в полож. устойчивого равно-веия. В неоднородном эл. поле диполь наряду с поворотом испытывает поступательное движ. в область неоднород-ного поля. Типы диэлектриков. Виды (механизм) поляриза-ции диэлектриков. В зависимости от структуры молекул различ. два типа диэлектриков поляр. и неполяр. неполяр. полярные O2 , H2 , CO ... HCl ,...,CO2 Симметрич. Не симметри- структура ма- чная структу- лекул. ра. Без внеш. поля. (Е0=0) В О центры Центры тяж. тяж. (+) и (-) не совпада-ют совпадают. _ _ Pi=0 Pi№0 еPi=0 еPi=0 i i В силу хао- тич. движ. диполей. У неполяр. диэл. в отсу- тств. внеш. по- ля малекулы не имеют собств. эл.моментов. (диполей нет) Во внеш. поле _ Pi№0 Ориентация _ диполи по Pi№0 внеш. пол. Е0 еPi№0 еPi№0 i i диполи Поляризация в завис. от вида механизма назв. Диформацион- Ориентаци- ная (электрон- онная поля- ная). ризация. Независимо от вида поляри-зации у любого поляризован-ного диэлектрика появляется в эл. поле суммарный электрический дипольный момент. Поляризованность. Вектор поляризованности. Связь его с поверхностны-ми зарядами. Явл. поляризации описыва-ется с помощью важной характеристики поляризо-ванностью или вектора _ поляризации ?. Поляризованностью диэлек-трика назв. физ. вел.численно равную суммарному электрическо-му (дипольному) моменту молекул заключенных в единице объема. _ 1) ?=еPi/DV i в числителе суммарный момент всего образца , DV - объем всего образца. В Си[?]=Кл/м2 _ _ 2) ?=жe0Е ж -диэлектрическая воспри-имчевость вещества. ж>0 ж>1 Из 2) ж -const Покажем что вектор поляризации равен (для точек взятых внутри диэлектрика). ?= s ' Пусть во внеш. поле Е0 нах. массивный образец. DV=Sl Независимо от способа поляриз. справа будет +s ' , справа -s '. _ еPi =ql=Ss 'l= i ?=s 'Sl/Sl =s ' Эл. поле внутри диэлектри-ка. Вектор эл. смещения. Рассм. поляризацию одно-родного , изотропного диэлектрика (ж -const) внесенного во внеш. одно-родное поле поле Е0 образо-ванное плоским конденс. На образце появятся поверхностные связанные заряды. + s ' , - s '. _ Связ заряды созд. поле Е' _ напр противополож. Е0. _ _ _ Е=Е0+Е' Е= Е0+Е' Е=Е0 - s '/e0=E0 - жe0E/e0 E+жE=E0 (1+ж)= E0 1+ж=e E=E0/e - напряженность поля в диэлектрике внесен-ного во внеш. поле Е0. Напряженность поля в диэлектр. Уменьшется в e раз при условии что s на обкладках конденс. остают-ся постоянными. Если диэлектрик вносится в плоский конденс. подклю-ченный к источнику напря-жения , напряженность остается =Е0. eЕ=Е0 ee0Е=e0Е0 D0=e0Е0 D=D0=s В таком случае эл. смеще-ние одинаково в вакууме и в диэл. Лекция. s =const E=Е0/e0 E созд. всеми видами зарядов как свободными так и связанными. D = D0 диэл в возд U=const s =const Е0=E D=eD0 Связь между связанными и свободными и свободными зарядами (s и s' ). Связь между s и s' уста-навл.на основании выраж. для напряж. поля. Е= Е0 - Е' Е0/e=Е0 - Е' s/e0=s/e0- s '/e0 s/e= s - s' s'=(e - 1/e)ґs _ _ _ Связь между Е , D , ?. _ _ D= e0eE=(1+ж)ґe0E= _ _ =e0E+жe0E0 _ _ D=e0E+? - связь Теор. Гаусса при наличии диэлектриков. Для воздуха и для вакуума две равные теор. Гаусса. 1) ?Dnds=еqi S i 2) тe0Ends=еqi i 1)=2) При наличии деэлектриков значимость 1) и 2) различна. В формуле 2) при наличии диэлектрика в прав. часть надо добавить алгебраич. сумму всех связанных зарядов 2)' тe0Ends=еqi+ i +еqi' i Вел. связанных зарядов зависет от Еn. Поток вектора эл. смещения сквозь произвол. замкн поверх. равен алгебраич. сумме всех свобод. зарядов заключ. внутри поверхности. ?Dnds=еqi - теор. Гаусса S i при наличии диэлек-трика. Явление на границе двух диэлектриков . Граничные условия. Закон преломления линий поля. До сих пор мы рассм. диэл. вносимый в поле так что поверхность его совпадала с эквипотонц. поверх. , а линии _ _ Е и D были ^ поверхности. _ _ Каково направление Е и D _ _ если Е и D не ^ эквипотонц. поверх. Для построения картины поля внитри диэлектрика нужно знать граничные условия. Граничные условия для нормальных составляющих _ _ Е и D. Рассм. границу раздела двух диэлектриков. Псть у 1) - e1 2) - e2 e2 > e1 Пусть на границе раздела _ двух диэлектрикриков D направлен под углом a. _ _ Расскладываем D1 и D2 на состовляющие нормальную к поверхности и танген-циальную. _ _ _ D1=D1n+D1t _ _ _ D2=D2n+D2 t Для применен. Теор. Гаусса надо построить замен. поверх. Нухно выбрать цилиндрич поверхн. Найдем поток вектора эл. смещения через замкн. поверх. ФD=D2nDS - D1nDS Найдем алгебр. сумму зар. попавших внутрь. D2nDSґD1nDS=0 DS№0 1) D2n=D1n Cогласно связи. e2e0E2n= e1e0E1n 2) E1n/E2n = e2/e1 2) - втор. гранич. усл. показ. каково повидение Е на грпнице: En на границе раздела двух диэл. изменя-ется скачком. Граничные условия для тангенц. состовляющей. Для получ. этих гранич. усл. воспольз. теор.о циркуляции вектора напряженности электрич поля. ?Еldl=0 L Нужно построить четеж для _ Е аналогично рис 1. _ _ _ _ (1) - Е1® Е1=E1n+E1t _ _ _ _ (2) - Е2® Е2=E2n+E2t Для применения теор. о циркул. нужно выбрать замкн. контур. В качестве замкнутого контура выбира-ем прямоугольник стороны котор. ЅЅ границе раздела , высота h®0. АВ=CD=а Направление обхода по часовой стрелке. ?Еldl=0 L=ABCD L В каждой точке на расст AB E1t ЅЅ этому участку. Поэтому циркуляция E1t на AB равна B D ?Еldl=E1tтdl - E2tтdl=0 L A C E1ta - E2ta=0 a№0 3) E1t=E2t У вектора напряженности поля при переходе через границу раздела двух диэлектриков не меняется тангенциальная состовля-ющая. D1t/e1e0=D2t/e2e0 Используя 3) и связь между _ _ D и E получим: 4) D1t/e1e0=D2t/e2e0 - 4-ое условие . На границе раздела двух диэлектриков тангенц. _ сoставл. D изменися. 1,2,3,4 - условия позволяют правельно построить картину линий поля. Закон преломления линий поля. tga2=D2 t /D2n tda1=D1 t /D1n tga2/tga1= D2t ґD1n/ D2nґD1t = =D2 t /D1 t = e2/e1 5) tga2/tga1=e2/e1 - зак. преломления линий поля. Угол больше в той среде где e больше. Из 5) следует гуще линии поля располож. В диэлектри-ке где e больше. e2< e1 Построить картину линий поля. Активные диэлектрики. (диэлектрики с особыми поляризационными свойства-ми.) Мы рассматривали поляри-за-цию однородных , изо-троп-ных диэлектриков. _ _ ?=жe0Е ж=const При Е=0 у большенства диэл. ? =0. (поляризация исчезает) Сущ. диэлектрики с нели-нейной зависемостью. _ _ ? от Е. _ _ ? №жe0Е 2) ? = f(E) Это первый тип диэл. с особыми свойствами предста-вляет собой класс сигме-нтодиэлектриков. У сигментодиэлектриков 2) представляет собой петлю гистерезиса. Петля гистерезиса 1,2,3,4,5,6,1 Область 0,1 - область первич- ной поляризации. _ _ При уменьшении Е вектор ? убывоет по кривой 1,2,3. _ При Е=0 в диэлектрике сох- раняется остаточная поляри- _ зация ? 0. _ ? =0 в т. 3 т.е. при внеш. поле обратного направления. Лекция. Постоянный ток. Проводимость металлов и газов. Электрический ток - направленное движение зарядов. Носители заряда - заряды создающие ток. В электролитах - ионы металлах - электроны газах - ионы и электроны. Проходимостью тока - назв. прохождение зарядов через вещество. Типы проводимости - ионная , электронная , смешанная. Независимо от вида прово-димости для тока приняты следующие характеристики: 1) I - сила тока. 2) j - плотность тока. Сила тока - физ. вел. численно равная заряду переносимому через попе-речное сечение проводника за 1 с. (скалярная вел.) [ I ]=A (1) I=q/A 1А = сила тока при прохож-дении которого через поперечное сечение провод-ника в 1 с переносится заряд в 1 Кл. А - четвертая основная единица в Си. Направлением тока считают направление положительных зарядов. Если сила тока постоянна и направление постоянно , то говорят о постоянном токе. (1) - справедлива для постоянного тока. Если сила тока меняется со временем то (1) запис. следующую 2) i=dq/dt. На основании (2) можно получить кол- во заряда переносимого через попе-речное сечение проводника за единицу времени dq=idt. t 3) q=тi(t)dt 0 Плотность тока - векторная характеристика. По определению постоянно-го тока плотность тока равна _ 4) ЅjЅ=I/S^ S^- ^ току Плотность тока - физ. вел. численно равная заряду переносимому за 1с через единичную площадку поперечного сечения расположенного ^ току. Если ток меняется 5) j=di/dS^ формула 5) дает возмож-ность находить силу тока. 6) di=jdS^=jndS интегрируем лев. и прав. часть. _ _ 7) i=тjndS =тjdS S S Из 7) следует что сила меняющегося тоеа численно = потоку вектора плотности тока через площадь попе-речного сечения. Единицей плотности тока явл. А/м2. Связь между плотностью тока и скор. направленного движения носителей тока. В любом веществе проводя-щем ток носители тока учавствуют в непрерывном чаотич. движ. uт=cр uт- тепловая скор. Направленное движ. это движение которое налагает-ся на хаотич. тепл. движ. и вынуждает носителей двигаться в определенном направлении. cр- ср. знач. скор. направленного движ. Плотность тока явл. функ-цией. j=f(n, qэл, ) 1) j= qэлґn Для док. рассмотрим проводник постоянного сечения цилиндрич. формы. n - число носителей тока qэл- известно 2) j=I/S=q/St q - вел. заряда переносимого через попереч. сечение S за время t. l= V=lS=S qv= qэлnV - через S^ за 1с. q=qvґt Подставим в 2) i= qэлnVґSt/St _ _ Отсюда следует j=qэлn Условия существования тока. Источники тока. Э.Д.С. источника тока. Необходимые усл. сущ. тока.: 1) наличие носителей тока 2) наличие сил вынуждаю-щих носителей тока дви-гаться 3) наличие разности потен-циалов вдоль поверхности проводника. Рассм. отрезок проводника. Для длительного поддержа-ния тока необходимо какимто образом положи-тельные носители тока с конца 2 перенести на торец 1. Движение носителей тока внутри образца происходит под действ. силы электрич. природы. Движение зарядов прекра-тится очень быстро: поло-жительные скапливаются на конце 2. Перенос зарядов из 2 в 1 осуществить невозможно (это означало бы движения (+) против Е ). Такой перенос можно осуществить только с помощью силы другой природы не электрич. происхождения. Этот перенос реализует устройство называемое источником тока. За счет действия источника тока внутри проводника появл. электрич. поле напряженностью Е. Поскольку Е поверх. проводника , то поверх. проводника не явл. эквипо-тонц. j2< j 1 j2 - j 1= Dj Источ. тока независ. от принципа работы характери-зует e - Э.Д.С. и r - внутр. сопротивл. Э.Д.С. - называют работу совершаемую сторонними силами по перемещению единич. полож. зар. на замкнутом участке цепи. 1) e=A*/q [e]=B Втор. определение Э.Д.С. 2 A=q(j2 - j 1)=qтЕldl 1 2 2) A*=A1,2*= qтЕl*dl 1 E* - напряженность поля сторонних сил. E*=F*/q Подставим 2 в 1. 2 3) e=тЕl*dl 1 Для замкн. цепи в 3) нужно взять контурный интеграл. 4) e=?Еl*dl L Э.Д.С. - в замкнутой цепи = циркуляции вектора напря-женности поля сторонних сил. Зак. Ома в интегральной форме. (обобщенный закон) I=(j2 - j 1)/R=U/R R=rґ(l/S) для цилиндрич проводников. r - удельное сопротивление. U=j2 - j 1 совпадают только для однородного участка цепи. На осн. зак. сохр. энерг. можно получить зак. Ома в общей форме, из которого следуют частные случаи. Обобщенный закон Ома - закон для неоднородного участка цепи. Неоднородный участок - участок содержащий источник тока. I=((j2 - j 1)±e)/R1,2 - обоб-щенный закон. R1,2=R+ r Со знаком + e берется тогда кокда сила тока от + к - . Со знаком - e тогда когда о - к +. (j2 - j 1)±e =U Рассм. частный случай. 1) случай e=0 I=(j2 - j 1)/R=U/R 2) случай: замкнутая цепь j1=j2 j2 - j 1=0 3) I=e/(R+r) Зак. Ома в дифференци-альной форме. Рассм. проводник перемен-ного сечения. Выделим внутри элементар-ный объем , длинна - dl , площадь поперечн. сечения dS. dR=rґ(dl/dS) Выделим объем соответст-вующей однородному участку цепи. dI=dU/dR dI=dU/(rґ(dl/dS)) dI/dS=(1/r)ґ(dU/dl) j=(1/r)ґE 1/r =g - удельная проводи-мость. _ _ J=gE плотность тока в данн. точке проводника = произведению удел. Прово-димости этого проводника на напряженность в этой же точке. C учетом сторонних сил для неоднородн. участка цепи зак. Ома будет: _ _ _ j=g(E+E*) Лекция. Дополнительные оапределе-ния Э.Д.С. Для замкн. цепи зак. Ома будет I=e/(R+r) III) e=IR+Ir IR - падение внеш. напряже-ния. Ir - падение внутр. напряже-ния. Электродвижущая сила источника тока = сумме падений напряжения на внеш. сопр. и на внутр. участке. Из III можно прийти к заключению что если R>>r (источник тока разомкнут) R®Ґ. IV) e=IR Э.Д.С.= напряже-нию на клемах разомкнутого тока. Газовый разряд. Ионизация. Рекомбинация газов. Газы явл. диэлектрками , и в обычных условиях не проводят эл. ток. Все газы сост. из нейтраль-ных атомов и малекул. Если каким либо образом создать носители тока в газах , то они станут проводниками.(ионизация). : УФ , R - лучи , g - изл. , a , b частицы - внешние ионизаторы. Ионизация - это превраще-ние нейтральных атомов и малекул в ионы. Электроны в атомах удер-живаются силами кулло-новск. притяжения. Для удаления электрона необходимо сообщить энергию равную или превы-шающую энергию его связи с ядром (инергия ионизации Ei). Ei =от 5 до 20 эВ Электрон и ион могут перемещаться под действ. эл. поля. Свободн. электроны сталки-ваясь с нейтральными атомами может войти в его состав создавая отрица-тельный ион. В результате ионизации возник. 3 вида носителей тока: +ион , -ион , электрон. Возникают два направлен-ных друг к другу встречных потока образующие эл. ток. Одновременно с ионизацией в газе происходит рекомби-нация газа заключающаяся в исчезновении носителей тока. Под действием внешнего ионизатора мощностью Dn. (показавает сколько элек-тронов образуется в 1 м3 за 1с.) 1) В нач. момент времени И>Р. 2) Спустя некоторое время И=Р n+=n_ устанавливается равновесие концетрации носителей тока n. 3) После выключения. И<Р спустя время t n=0. При выполнении ситуации 2) прохождение эл. тока через газы назв. газовыми разряда-ми. Число рекомбинирующих ионов в единицу времени в 1м3 оказывается пропорцио-нальным концентрации полож. и отр. Ионов. Dnr = rn2 r - коэфф. рекомбинации. В ситуации 2 Dni =Dnr Dni = rn2 1) n=Ц(Dni /r) Различают два вида газовых разрядов. 1) несомостоятельный 2) самостоятельный. Несамостоятельный разряд - такой разряд для поддерж-ки которого необходим внеш. ионизатор. Самостоятельный разряд - разряд без внешнего иониза-тора. Вольтамперная характери-стика газового разряда. Зак. Ома для газового рязряда. Прохождение тока через газы удобно изучать с помощью схемы. Для того чтобы существовал ток для газового ионизатора нужен внеш. ионизатор. В области 1 с увеличением U прямо пропорционально растет сила тока. В области 1 справедлив закон Ома для газов. В обл. 2 наблюдается отклонение от прмолин. завис. и от зак. Ома. Обл. 3 - обл. насыщения : все носители тока падают на электроны. Обл. 1 - обл. слабых полей. j=j++j_ j+qэлn+i В равновесии qэл(+)=(-)=e в силу преимущества одно-кратной ионизации. n+=n_=n j=en(+) Опыт показывает что скор. напр. движ. зависит от вел. напряженности эл. поля и подвижности. u+=b+E u_=b_E u+,u_ - подвижность носите-лей тока. u+>b_ b=u/E Подвижность - это физ. вел. числ. = скор. упорядоч. движ. носителей тока под действием эл. поля единич-ной напряженности. [b]=м2/(Вґс) 1) j=eґn(b++b_ )E - зак. Ома. Произведение равновесной концентрации на элемен-тар. заряд носителей тока на сумму подвижностей и на напр. эл. поля. 2) j=gE g=eґn(b++b_ ) g=1/r g - удельная проводимость 3) jн=eґDniґd d - расст. между электрода-ми. Dni - мощность ионизатора. Ударная ионизация. Самостоятельный газовый разряд. При больших напр. поля свобод. электроны ускоря-ются до таких энергий которых достаточно для электронным ударом. В обл. 4 в нутри газа появл. собственный источник ионизации , ударной иониза-ции. Число электронов резко возрастает. Лавинообразный процесс. В обл. 4 наличие внеш. ионизации необходимо для поддеожания заряда. При дальнейшем увеличении напр. поля в обл. 5 энергию достаточную дляионизации получают ионы. В обл. 5 разряд становится самостоятельным. при этом сила тока увелич. Практи-чески без изменения Е. Напряженность при котор. происпереход из несомост. В самост. разряд. разряд назв. напряжением зажигания или пробоя. Типы самостоятельных газовых разрядов. 1) тлеющий 2) искровой 3) дуговой 4) коронный (в Трафимовой) Зак. Джоуля - Ленца в интегральной и диффер. форме. На внеш. сопротивлении в любой электрической цепи выделяется кол - во тепло-ты. 1) Q=I2Rt За время t при протекании силы тока при протекании силы тока в нем выделится кол-во теплоты Q. (инте-гральная форма) Получим зак. в диффер. форме. Для этого рассм. внутри проводника с сопр. R элементарный объем dV=dSґdl dR= r dl/dS Запишем вместо 1) кол-во теплоты выдел. в этом объеме за время dt. 2) dQ=jґ(dS)2ґrґ(dl/dS)ґdt (dQ/dVdt)=rj2 3) wт=rj2 j=gE wт =rґg2E2=(1/g)g2E2 3ў ) wт =gE2 Работа и мощьность тока, КПД тока. e=А*/q A=qe=eIt полная мощность источника тока P=A*/t=Ie P=I( IR+Ir)=I2R+I2r P=Pполез+Pбезполезн h=Pполез/P Основные положения КЭТ. 1) При кристаллизации металлов из расплава атомы их теряют электроны. При этом возникают полож. заряж. ионы и свободные электроны. Если кажд. атом теряет по эл-ну, то nат=nэл=(D/m)·Na. Своб. эл-ны способны перемещаться по всему объёму металла. 2) Все металлы имеют кристаллич. структуру, в основе которой лежит кристаллич. решётка кубич. формы с положит. ионами в узлах. Таким образом решётка прозрач. для эл-нов. 3) Своб. эл-ны, оторванные от атомов, становятся коллективной собственно-стью всего металла. Они соверш. хаотич. тепл. движение. При этом эл-ны ведут себя подобно одно-атомным мол-лам идеал. газа, подчиняясь статистике Максвелла. Своб. эл-ны принято назыв. “электрон-ным газом”. Для эл-нов по ф-ле, известной из МКТ можно определить сред. скор. теплового движения: бVтс=Ц(8KT)/(pm)»105м/c. 4) Своб. эл-ны, сталкиваясь с ионами, расположенными в узлах решётки, отдают им свою кинет. энергию. Этим обусловлено сопротивление проводников. 5) При приложении внешн. эл. поля напряжённостью E на хаотич. тепл. движение эл-нов накладывается упорядоченное движение. При этом возникает эл. ток. бVс « бVTс Оценим бVс по ф-ле j=qэлnбVс=enбVсЮ Ю бVс=j/(en); n~1029м-3, j(Cu)=107А/м2Ю Ю бVс~10-3м/с. Суммарн. скор.бVSс=бVс+бVTс Поскольку бVс « бVTс, то бVSс » бVTс Закон Ома в КЭТ Основные положения КЭТ позволяют вывести ф-лу закона Ома как ф-цию параметров носителей тока. Для вывода используем соотношение j=enбVс. Пусть к проводнику прило-жено внешнее поле E. Своб. эл-ны придут в движение. На эл-ны будет действ. сила со стороны поля F=eE.E=constЮa=const. F=eE=ma (по II з-ну Ньют.). a=(eE)/m Для равноуск. движ. Vt=V0+at ср. длина своб. пробега бlс~d расст. между ионами; t-время своб. пробега. Скорость электрона Vt=Vmax=at - до столкнове-ния с ионом V0=0 - после столкновения с ионом бVс=(V0+Vmax)/2=Vmax/2=(at)/2=(eEt)/2m; t = бlс/бVSс = бlс/бVTс; бVс = [(eE)/2m] · бlс/бVTс; j=enбVс=[(e2nE)/2m]·бlс/бVTс з-н Ома в КЭТ j=gE Ю g=(ne2бlс) / (2mбVTс) Закон Джоуля-Ленца в КЭТ Нагревание проводника, согласно КЭТ, объясняется столкновением электронов с ионами кристал. решётки. Рассчитаем кинет. энергию отдельного эл-наперед столкновением с ионом, полученную им за счёт поля: W1=(mV2max)/2. За 1 сек. эл-н может испы-тывать Z соударений, где Z = 1/t =бVTс / бlс. Если в 1 м3 число эл-нов = n, то кинет. энергия, переданная решётке всеми n эл-нами за Z столк-новений каждого из них W=nбZсW1=wT. wT=[(mV2max)/2]·n·бZс=[ne2бlс/2mбVTс]E2 Затруднения КЭТ 1) Температурная зависи-мость проводников. Соглас-но экспер. данным сопр. металлов увелич. с темпе-ратурой по з-ну R=R0+aT, где R0-сопр. при T=273K, a=1/273 град-1. Для r ф-ла аналогична r=r0+aT. Согл. опыта r~T. r=2mбVTс/(ne2бlс)Юr~бVTс. На осн. КЭТ след. r=ЦT, т.е. теория расходится с опытом. 2) Теплоёмкость металлов и диэлектриков. Согл. опвтов атомная теплоёмк. металлов и диэл-ков одинакова (C=3R, где R-газовая постоянная). Это положение наз. з-н Дюлонга и Пти. Согл. КЭТ металл сост. из кристал. решётки и своб. эл-нов, а диэлектрик своб. эл-нов не имеет. Следует ожидать, что теплоёмк. металлов=т.ё. кристал. решётки+т.ё. своб. эл-нов (Cмет=R+3/2R=4,5R), чего нет на опыте. Электронный газ, на самом деле подчиняется не класси-ческой статистике Мак-свелла, а квантовой стати-стике. Затруднения устра-няются в квантовой теории проводимости. Несмотря на затруднения, КЭТ она проста и широко применяет-ся при высоких темп-рах и малых концентрациях. Электромагнетизм Магн. поле. Движ. заряды в окруж. пространстве создают магн. поле, которое явл. одной из форм сущ. материи. В отличие от эл. статического поля, магнит-ное действует только на движ. заряды. Проводники с текущими по ним токами в окруж. пр-ве создают магн. поле. Принято различать макро- и микротоки. Макротоки-это токи, текущие по проводникам. В любом вещ-ве электроны движутся по круговым орбитам. Движение эл-нов в атоме по круговым орбитам тоже приводит к созданию магн. поля. Токи, создавае-мые в веществах движущи-мися эл-нами называют микротоками. Гипотеза Ампера: в каждом вещ-ве за счёт движения электронов возникают микротоки. Для исслед. магн. поля применяют магн. стрелки (опыт Эстерда). Магн. стрелка предст. собой магнит, одетый на остриё. При пропускании тока через проводник стрелка испыты-вает силовое воздействие (устанавливается перпенд. проводнику). 2й метод исслед. маг. поля - с помо-щью плоского контура с током. Форма контура не играет роли. Необходимо, чтобы размер контура был настолько мал, чтобы не искажал иссле-дуемое поле. Контуры, вносимые в магн. поле испытывают ориентирую-щее действие со стороны этого поля. Рамки принято характеризовать положит. нормалью. Положительной наз. нормаль, проведённую к центру проводника, удовле-творяющего правилу правого винта по напр. тока. На основании действия сил на рамку делают вывод: магнитное поле - силовое и его надо характеризовать опред. направлением. За напр. магн. поля принимают напр. полож. нормали в данном месте распол. контура с током. Определение характеристик маг. поля связано с опреде-лением поведения контура с током в поле. В однор. поле внесён контур тока таким образом, чтобы вдоль линий поля была направлена плоскость. Пара сил создаёт вращаю-щий момент M. Опыт показывает, что вращ. момент зависит от некот. силовой хар-ки поля и от силы тока в рамке (M~B; |M|~|I|). Для всех рамок вводится хар-ка, связанная с размерами расок и силой тока, текущей в них. Pm - магнитный момент. Pm=I·S [А·м2]. Магн. момент явл. вектором. Pm=n·I·S, где n - орт полож. нормали, т.е. Pm || n. Опыт показ., что M=[Pm , B] - механический вращ. момент равен векторному произведению магнитного момента рамки на вектор индукции магн. поля. M=Pm·B·sina (a=Pm^B). Из этой ф-лы видно, что M=max, если a=90° (поло-жение I на рис.) Mmax=Pm·B(1). M=0 при a=0 (полож II). Полож. II соответствует устойчивому равновесию рамки. Индукция магн. поля - основная силовая хар-ка этого поля. Согл. ф-лы (1) B=Mmax / Pm. Индукцией магн. поля в данной точке наз. физическая величина, численно равная макс. вращающему моменту, действующ. в данной точке на рамку с током, имеющую единичный магн. момент. [B]=Н/(А·м)=Тл (Тесла). Ин-ция магн. поля предст. собой хар-ку результирую-щего поля, созданного макро- и микротоками. Индукцию можно изобразить силовыми линиями (аналог напряжён. эл. стат. поля). Напряжённость магн. поля Использ. вектор B не всегда удобно, поскольку проявл. зависимость от свойств Среды. Вводится вспомогат. хар-ка, не завис. от свойств Среды - напряжённость магнитного поля H (аналог D в эл. статике). B=mm0H, где m-магн. проницаемость. Для вакуума m=1. m0-магнитная постоянная. m0=4p·107 Гн/м. [H]=А/м. Для вакуума H=B/m0. За ед. (А/м) напряж. магн. поля принимают напряж. такого поля, у которого индукция B=4p·107Тл. H определяется только макротоками и не завис. от микротоков. Поскольку H - это вектор, для него принято строить линии напряжённости. Вихревой характер маг. поля. В отличие от эл. стат. поля, маг. поле является вихревым: линии магн. поля всегда замкнуты, представ-ляют собой окружности (вихри), охватывающие проводники с током. Магн. поле не явл. потенци-альным. Линии поля B строят согласно правилу правого винта. Векторы B и H направлены по касатель-ной в каждой точке линий. Принцип суперпозиции магнитных полей Если в пр-ве имеется неск. проводников с токами, то в каждой точке пр-ва магн. поле создаётся каждым из проводников в отдельности независ. от наличия осталь-ных. Результир. поле в этой точке характеризуется векторами B и H. Bi и Hi - векторы, порождаемые i-ым проводникомс током. B=SBi; H=SHi; Закон Био-Савара-Лапласа Осн. задача магнитостатики состоит в умении рассчит. хар-ки полей. Закон Б-С-Л с использованием принципа суперпозиции даёт простей-ший метод расчёта полей. dB-индукция, созд. в точ. A. dB=(mm0 /4p)·(I·dl·sina/r2) [1] dH=(I·dl·sina)/(4pr2) [2] Индукция магн. поля, созданная элементом проводника dl с током I в точке A на расстоянии r от dl пропорц. силе тока, dl, синусу угла между r и dl и обр. пропорцион. квадрату расстояния r. ___ ____ __ dB=(mm0 /4p)·(I·[dl,r] /r3) Значение з-на Б-С-Л заклю-чается в том, что зная dH и dB от dl можно вычислить H и B проводника конеч. размеров разл. форм. Применение з-на Б-С-Л Поле прямого отрезка конечной длины с током. m=1, m0=4p·10-7Гн/м, H?, B? dH=I·dl·sina/4pr2 По правилу прав. винта найдём направл. dH ____ ____ H=SdH. Поскольку все dH напр. одинаково, можно записать H=тdH. Перемен-ной интегрирования выби-раем угол a. rda/dl=sina Ю dl=rdl/sina. dH=I·r·da·sina/sina·4pr2= =I·da /4pr из треуг. DOAЮ b/r=sinaЮ Юr=b/sina. dH=I·sinada/4pb a1 H=т I·sinada/4pb= a2 a1 a1 =I/4pbт sinada=-I/4pbcosa| a2 a2 H=I/4pb(cosa1-cosa2) (2) B=m0I/4pb(cosa1-cosa2) (2’) Поле прямого бескон. тока. Для беск. тока a1=0, a2=p В (2): cosa1-cosa2=1-(-1)=2 H=I/2pb; B=m0I/2pb. Поле кругового тока H=тdH; r=R; a=90° 2pR H=т I·dl/4pR2=I·2pR/4pR2= 0 =I/2R; B=Im0/2R (4) Картина линий поля для кругового тока: Поле подобно эл. статич. полю диполя. В связи с этим круговой ток пердст. собой магн. диполь. Покажем, что круг. ток может служить магн. диполем. Для этого в ф-ле (4) домножим числитель и знаменатель на pR2. B=m0·I·4pR2/2RpR2 pR2=S; I·S=Pm B=m0·Pm /2pR3 Закон Ампера На опыте устан., что на проводник с током в магн. поле действ. сила. Для прямолин. проводников длиной l: F=IBl·sina. При a=90° F=IBl. Для проводни-ков сложной формы з-н Ампера запис. в дифференц. форме: dF=IBdl·sina; ___ ___ ___ dF=I[B,dl]-векторная форма. ____ ____ F=SdF Взаимод. паралл. токов Рассм. 2 проводника, расположенных паралл. друг к другу. Будем считать, что 1 создаёт магн. поле, а 2 находится в поле 1-го. Тогда индукция маг. поля B1 в точках нахождения 2: B1=m0I1/2pd. F2=I2B1l2sina=mI1I2l2/2pd. Можно аналог. рассм. силу F1, действующ. на проводник 1 со стороны поля тока I2. F1=F2, если l1=l2=l. Парал. токи притягиваются, антипарал. - отталкиваются. При рассм. парал. проводни-ков вводят силу, действ. на единицу длины проводника: fед.дл.=m0I1I2/2pd. (1) Эта ф-ла позвол. ввести единицу силы тока в СИ “1 Ампер”. Опред. ед. силы тока-Ампер Полагая, что I1=I2=I из (1) имеем: I2=fед.дл.·2pd/m0= fед.дл.·d/2·10-7. Берём d=1м, fед.дл.=2·10-7Н/м. За единицу силы тока 1A приним. силу такого тока, который протекает по 2-м парал. проводникам, расп. на расст. 1 м в вакууме, вызывает силу взаимодейст-вия между ними, равную 2·10-7Н на кажд. ед. длины. Сила Лоренца. Эл. ток предст. собой упорядоченн. движение эл. зарядов. На токи в магн. поле действует сила Ампера, т.е. со стор. магн. поля на кажд. носитель заряда действ. тоже сила. Эту силу наз. силой Лорен-ца. ____ ____ Fл=qVBsina; a=B^V ___ _ ____ Fл=q[V,B] - в вект. форме. На покоящеиеся заряды сила Лоренца не действ. На заряды, влетающие в поле паралл. линиям поля сила Лор. тоже не действ. Если одноврем. действ. электр. и магн. поля, то справедлва ф-ла Лоренца: -___ ___ F=qE+Fл



Хостинг от uCoz